PJQ1916_R1_00201
Номер детали:
PJQ1916_R1_00201
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Panjit International Inc.
Описание:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 500mW (Ta)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
- Vgs (макс.) ±8V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 950mA (Ta)
- Корпус 3-UFDFN
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.2V, 4.5V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 300mOhm @ 500mA, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.1 nC @ 4.5 V
- Поставщик Устройство Корпус DFN1006-3
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 46 pF @ 10 V