PMDPB38UNE,115
Номер детали:
PMDPB38UNE,115
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3A, 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус 6-HUSON (2x2)
- Мощность - Максимальная 510mW
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 268pF @ 10V