PMDPB56XNEAX
Номер детали:
PMDPB56XNEAX
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q100
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.1A (Ta)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.25V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 5nC @ 4.5V
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик Устройство Корпус DFN2020D-6
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 256pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 485mW (Ta)