QH8MC5TCR
Номер детали:
QH8MC5TCR
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- Конфигурация N and P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Корпус 8-SMD, Flat Leads
- Поставщик Устройство Корпус TSMT8
- Мощность - Максимальная 1.1W (Ta)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3A (Ta), 3.5A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 135pF @ 30V, 850pF @ 30V