QS8J13TR
Номер детали:
QS8J13TR
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5.5A
- Мощность - Максимальная 1.25W
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12V
- Корпус 8-SMD, Flat Leads
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 1mA
- Поставщик Устройство Корпус TSMT8
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 60nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6300pF @ 6V