R6010YNXC7G

R6010YNXC7G

Номер детали: R6010YNXC7G
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Упаковка: Tube
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 15 nC @ 10 V
  • Рабочая температура 150°C (TJ)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
  • Корпус TO-220-3 Full Pack
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 7A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 47W (Tc)
  • Vgs (макс.) ±30V
  • Поставщик Устройство Корпус TO-220FM
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 600 pF @ 100 V
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V, 12V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 390mOhm @ 4.2A, 12V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 6V @ 1.2mA