RD3G03BBGTL1
Номер детали:
RD3G03BBGTL1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 50W (Tc)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 35A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18.2 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус TO-252
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 35A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1170 pF @ 20 V