RF9P120BLFRATCR
Номер детали:
RF9P120BLFRATCR
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 12A (Tc)
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 23W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6.8 nC @ 10 V
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 360 pF @ 50 V
- Поставщик Устройство Корпус DFN2020Y7LSAA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 61mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 843µA