RH6G040CHTB1
Номер детали:
RH6G040CHTB1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
NCH 40V 135A, HSMT8, POWER MOSFE
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 32 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Корпус 8-PowerVDFN
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 135A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус 8-HSMT (3.2x3)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 40A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1930 pF @ 20 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.4W (Ta), 93W (Tc)