RJ1L04BBGTL1
Номер детали:
RJ1L04BBGTL1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
NCH 60V 100A, TO-263AB, POWER MO
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 40A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 89W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 47 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус TO-263AB
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2950 pF @ 30 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 40A, 10V