RJK03P7DPA-00#J5A
Номер детали:
RJK03P7DPA-00#J5A
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 15A/30A 8WPAK
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (макс.) при Id -
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Корпус 8-WFDFN Exposed Pad
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1190pF @ 10V
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Особенности Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Поставщик Устройство Корпус 8-WPAK
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15A, 30A
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 7.1nC @ 4.5V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
- Мощность - Максимальная 10W, 20W