RN1102MFV,L3XHF(CT

RN1102MFV,L3XHF(CT

Номер детали: RN1102MFV,L3XHF(CT
Категория продукта: Однопереходные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 mA
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA
  • Тип транзистора NPN - Pre-Biased
  • Резисторы включены R1 and R2
  • Мощность - Максимальная 150 mW
  • Резистор - База (R1) 10 kOhms
  • Резистор - База Эмиттера (R2) 10 kOhms
  • Корпус SOT-723
  • Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
  • Поставщик Устройство Корпус VESM