RN1708JE(TE85L,F)
Номер детали:
RN1708JE(TE85L,F)
Категория продукта:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Частота - Переход 250MHz
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
- Мощность - Максимальная 100mW
- Резистор - База Эмиттера (R2) 47kOhms
- Резистор - База (R1) 22kOhms
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Корпус SOT-553
- Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Поставщик Устройство Корпус ESV