RN1906FE,LXHF(CT

RN1906FE,LXHF(CT

Номер детали: RN1906FE,LXHF(CT
Категория продукта: Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Частота - Переход 250MHz
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
  • Мощность - Максимальная 100mW
  • Резистор - База Эмиттера (R2) 47kOhms
  • Резистор - База (R1) 4.7kOhms
  • Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Корпус SOT-563, SOT-666
  • Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
  • Поставщик Устройство Корпус ES6