RN2110MFV,L3F
Номер детали:
RN2110MFV,L3F
Категория продукта:
Однопереходные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 mA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Мощность - Максимальная 150 mW
- Тип транзистора PNP - Pre-Biased
- Резисторы включены R1 Only
- Резистор - База (R1) 4.7 kOhms
- Корпус SOT-723
- Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Поставщик Устройство Корпус VESM
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V