S2M0080120B
Номер детали:
S2M0080120B
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
SMC Diode Solutions
Описание:
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-263-7
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 176W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 10mA
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- Vgs (макс.) +20V, -5V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 54 nC @ 20 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1324 pF @ 1000 V