S3M0025120D
Номер детали:
S3M0025120D
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
SMC Diode Solutions
Описание:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- Поставщик Устройство Корпус TO-247AD
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 77A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 517W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 20mA
- Технология SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V
- Vgs (макс.) +22V, -8V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 32mOhm @ 48A, 18V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 175 nC @ 18 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3519 pF @ 1000 V