SA2T18H450W19SR6
Номер детали:
SA2T18H450W19SR6
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
NXP Semiconductors
Описание:
RF MOSFET LDMOS 30V NI1230
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Коэффициент шума -
- Коэффициент усиления 16.6dB
- Технология LDMOS
- Номинальное напряжение 65 V
- Ток - Тест 800 mA
- Ток (Амперы) 10µA
- Частота 1.805GHz ~ 1.88GHz
- Конфигурация Dual
- Напряжение - Тест 30 V
- Мощность - Выход 89W
- Корпус NI-1230S-4S4S
- Поставщик Устройство Корпус NI-1230S-4S4S