SCT016H120G3AG
Номер детали:
SCT016H120G3AG
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
STMicroelectronics
Описание:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 112A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 652W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус H2PAK-7
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 150 nC @ 18 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 1mA
- Vgs (макс.) +18V, -5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3623 pF @ 800 V