SCT027HU65G3AG

SCT027HU65G3AG

Номер детали: SCT027HU65G3AG
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: STMicroelectronics
Описание: SIC MOSFET
Упаковка: Bulk
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 300W (Tc)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
  • Технология SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
  • Поставщик Устройство Корпус HU3PAK
  • Vgs (макс.) +18V, -5V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 5mA
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 39.3mOhm @ 30A, 18V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1277 pF @ 400 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 60.4 nC @ 18 V