SCT040TO65G3

SCT040TO65G3

Номер детали: SCT040TO65G3
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: STMicroelectronics
Описание: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 35A (Tc)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
  • Технология SiCFET (Silicon Carbide)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 288W (Tc)
  • Корпус 8-PowerSFN
  • Поставщик Устройство Корпус TOLL (HV)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V, 18V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4.2V @ 1mA
  • Vgs (макс.) +18V, -5V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 42.5 nC @ 18 V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 853 pF @ 400 V