SH8MC4TB1
Номер детали:
SH8MC4TB1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- Конфигурация N and P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
- Мощность - Максимальная 2W (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.5A (Ta), 4A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V