SI1926DL-T1-GE3
Номер детали:
SI1926DL-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик Устройство Корпус SC-70-6
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 370mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.4nC @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 18.5pF @ 30V
- Мощность - Максимальная 510mW