SI3529DV-T1-GE3
Номер детали:
SI3529DV-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация N and P-Channel
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- FET Особенности Logic Level Gate
- Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Мощность - Максимальная 1.4W
- Поставщик Устройство Корпус 6-TSOP
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 7nC @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2.5A, 1.95A
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 205pF @ 20V