SI3905DV-T1-E3
Номер детали:
SI3905DV-T1-E3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2P-CH 8V 6TSOP
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
- Поставщик Устройство Корпус 6-TSOP
- Vgs(th) (макс.) при Id 450mV @ 250µA (Min)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 8V
- Мощность - Максимальная 1.15W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V