SI4936DY
Номер детали:
SI4936DY
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOIC
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 25nC @ 10V
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5.8A (Ta)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 460pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 900mW (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 37mOhm @ 5.8A, 10V