SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

Номер детали: SI5519DU-T1-GE3
Категория продукта: FET, массивы MOSFET
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Конфигурация N and P-Channel
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 17.5nC @ 10V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 1.8V @ 250µA
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6A
  • Корпус PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® ChipFet Dual
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 660pF @ 10V
  • Мощность - Максимальная 10.4W