SI5999EDU-T1-GE3
Номер детали:
SI5999EDU-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.5V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- FET Особенности Logic Level Gate
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 20nC @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6A
- Корпус PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® ChipFet Dual
- Мощность - Максимальная 10.4W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 496pF @ 10V