SI9934BDY-T1-GE3
Номер детали:
SI9934BDY-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOIC
- FET Особенности Logic Level Gate
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 20nC @ 4.5V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.4V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
- Мощность - Максимальная 1.1W
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4.8A
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V