SIA537EDJ-T1-GE3
Номер детали:
SIA537EDJ-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация N and P-Channel
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- FET Особенности Logic Level Gate
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4.5A
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 455pF @ 6V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 16nC @ 8V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Мощность - Максимальная 7.8W
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12V, 20V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V