SIA922EDJ-T4-GE3

SIA922EDJ-T4-GE3

Номер детали: SIA922EDJ-T4-GE3
Категория продукта: FET, массивы MOSFET
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A PPAK8X8
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 12nC @ 10V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 1.4V @ 250µA
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
  • Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Корпус PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 4.5V
  • Мощность - Максимальная 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4.4A (Ta), 4.5A (Tc)