SICW030N120H4-BP
Номер детали:
SICW030N120H4-BP
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
MCC (Micro Commercial Components)
Описание:
SIC MOSFETS,TO-247-4
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 375W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 78A (Tc)
- Корпус TO-247-4
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Поставщик Устройство Корпус TO-247-4
- Vgs (макс.) +20V, -5V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 50mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 305 nC @ 20 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4909 pF @ 800 V