SIHP054N65E-GE3

SIHP054N65E-GE3

Номер детали: SIHP054N65E-GE3
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Поставщик Устройство Корпус TO-220AB
  • Корпус TO-220-3
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
  • Vgs (макс.) ±30V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 47A (Tc)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 250µA
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 312W (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 108 nC @ 20 V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 58mOhm @ 20A, 10V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3769 pF @ 100 V