SIHR080N60E-T1-GE3
Номер детали:
SIHR080N60E-T1-GE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 63 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 500W (Tc)
- Vgs (макс.) ±30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5V @ 250µA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 51A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 8 x 8
- Корпус 8-PowerSMD, Gull Wing
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2557 pF @ 100 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 84mOhm @ 17A, 10V