SIJ4409DP-T1-GE3
Номер детали:
SIJ4409DP-T1-GE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET 150C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 126 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5670 pF @ 20 V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
- Корпус PowerPAK® SO-8
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15.5A (Ta), 43.6A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.6W (Ta), 32.8W (Tc)