SIJH400E-T1-GE3

SIJH400E-T1-GE3

Номер детали: SIJH400E-T1-GE3
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 330 nC @ 10 V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.4V @ 250µA
  • Vgs (макс.) +20V, -16V
  • Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус PowerPAK® 8 x 8
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 0.52mOhm @ 20A, 10V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 57A (Ta), 608A (Tc)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 15050 pF @ 20 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.3W (Ta), 385W (Tc)