SIJH5800E-T1-GE3
Номер детали:
SIJH5800E-T1-GE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 155 nC @ 10 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 8 x 8
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 20A, 10V
- Корпус PowerPAK® 8 x 8
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.3W (Ta), 333W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Ta), 302A (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 7730 pF @ 40 V