SIR5810DP-T1-RE3
Номер детали:
SIR5810DP-T1-RE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18.5 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
- Корпус PowerPAK® SO-8
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 900 pF @ 40 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 56.8W (Tc)