SIR582DP-T1-BE3

SIR582DP-T1-BE3

Номер детали: SIR582DP-T1-BE3
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 67 nC @ 10 V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
  • Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
  • Корпус PowerPAK® SO-8
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 15A, 10V
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 28.9A (Ta), 116A (Tc)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3360 pF @ 40 V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)