SIRA60DP-T1-UE3
Номер детали:
SIRA60DP-T1-UE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 125 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
- Корпус PowerPAK® SO-8
- Vgs (макс.) +20V, -16V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 0.94mOhm @ 20A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 7650 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 5W (Ta), 57W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 56A (Ta), 100A (Tc)