SIRS5700DP-T1-RE3

SIRS5700DP-T1-RE3

Номер детали: SIRS5700DP-T1-RE3
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: N-CHANNEL MOSFET
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 110 nC @ 10 V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
  • Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
  • Корпус PowerPAK® SO-8
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 8.3W (Ta), 278W (Tc)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25A (Ta), 144A (Tc)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5455 pF @ 75 V