SIS5712DN-T1-GE3
Номер детали:
SIS5712DN-T1-GE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 11.3 nC @ 10 V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 1212-8
- Корпус PowerPAK® 1212-8
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5.6A (Ta), 18A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 55.5mOhm @ 5.6A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 500 pF @ 75 V