SIS902DN-T1-GE3
Номер детали:
SIS902DN-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A
- Напряжение сток-исток (Vdss) 75V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6nC @ 10V
- Корпус PowerPAK® 1212-8 Dual
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 1212-8 Dual
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 186mOhm @ 3A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 175pF @ 38V
- Мощность - Максимальная 15.4W