SIZ730DT-T1-GE3
Номер детали:
SIZ730DT-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6POWERPAIR
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 830pF @ 15V
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
- Корпус 6-PowerPair™
- Поставщик Устройство Корпус 6-PowerPair™
- Мощность - Максимальная 27W, 48W
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 16A, 35A