SIZ980BDT-T1-GE3
Номер детали:
SIZ980BDT-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
- Корпус 8-PowerWDFN
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Поставщик Устройство Корпус 8-PowerPair® (6x5)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18nC @ 10V, 79nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)