SIZF5300DT-T1-GE3
Номер детали:
SIZF5300DT-T1-GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 32nC @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 35A (Ta), 125A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.43mOhm @ 10A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1480pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
- Корпус 12-PowerPair™
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAIR® 3x3FS