SQ4917CEY-T1_GE3
Номер детали:
SQ4917CEY-T1_GE3
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SOIC
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 8A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 65nC @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.3A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1910pF @ 30V
- Мощность - Максимальная 5W (Tc)