SQJQ186ER-T1_GE3

SQJQ186ER-T1_GE3

Номер детали: SQJQ186ER-T1_GE3
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 250µA
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 600W (Tc)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 185 nC @ 10 V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
  • Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус 8-PowerSMD, Gull Wing
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 329A (Tc)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 10552 pF @ 25 V