SQS110ENW-T1_GE3
Номер детали:
SQS110ENW-T1_GE3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Vishay Siliconix
Описание:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 57A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 51 nC @ 10 V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 119W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 13.2mOhm @ 10A, 10V
- Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® 1212-8SLW
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3449 pF @ 25 V