SSM6J808R,LF
Номер детали:
SSM6J808R,LF
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Рабочая температура 150°C
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 7A (Ta)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4V, 10V
- Корпус 6-SMD, Flat Leads
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.5W (Ta)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 100µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 35mOhm @ 2.5A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1020 pF @ 10 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 24.2 nC @ 10 V
- Vgs (макс.) +10V, -20V
- Поставщик Устройство Корпус 6-TSOP-F